苏秀娣

　　苏秀娣，1946年2月出生于上海市。1968年毕业于哈尔滨军事工程学院电子工程系。信息产业部电子第四十七研究所研究员级高级工程师、中国电子协会高级会员、沈阳市第二届人大代表。享受国务院政府特殊津贴。目前从事半导体集成电路方面的科研工作。首批沈阳市优秀专家。
　　在双极线性电路研究中，利用激光修正技术成功地研制出高精度数模转换电路，获得部科技进步一等奖。在担任工艺线线长期间，通过对关键工艺的研究与改进，满足了国防科研的需要，并在1993年获得国防科工委光华基金奖三等奖。
　　数字集成电路抗辐射加固技术研究中，在国内首先采用了复合栅工艺，使器件的抗辐射性能提高了一个数量级。在特种ASIC电路研制中，根据产品需求，采用相应的新工艺，满足用户的需求，并完成百万元以上的产值。
　　多年来，在国内外学术刊物及全国性学术会议上发表论文8篇、译文1篇，并参与编著了《电子元器件抗辐加固技术》一书（待出版）；共有11个项目分别获得省、部级科技进步一、二、三等奖，并在地下核试验抗辐射加固效应试验任务中做出突出贡献，荣立三等功。