闪存

闪存(Flash)是属于内存器件的一种，其具有非易失性(Non-Volatile)。在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据， 其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

闪存是一种电压控制型器件。其存储单元类似MOSFET(金属-氧化物半导体场效应管)的三端器件，有源极、漏极和栅极。 而其在栅极与硅衬底之间有额外一层栅极，用以存储电荷，名称为“浮置栅极”其外部包裹二氧化硅绝缘层，因此电荷 不会泄漏，所以闪存具有记忆能力。

NAND FLASH和NOR FLASH是闪存的两大主要产品。NAND擦和写均是基于隧穿效应，电子穿过浮置栅极与硅基层 之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)；NOR在擦除数据时也基于隧穿效应，但在写入时采用 热电子注入方式。这一不同点也驱动NOR的工作功耗高于NAND。