Dynamic Random Access Memory -- 动态随机存取存储器
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory）DRAM是一种半导体存储器，通常以一个电容和晶体管为一个 单元排成二维矩阵。DRAM利用电容内存储电荷情况来代表二进制比特是1或0。由于晶体管电路会有漏电电流，导致电 容上所存储的电荷数量并不足以正确地识别。因此DRAM需要周期性地充电，因此被称为“动态”存储器。
DRAM基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)。读的时候先让字线(Bitline)充电到操作电压的一半，开关晶体管(由位 线控制)，若电容内部存储的值为1，则Bitline的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半；反之，若内部存储的值 为0，则会把Bitline的电压拉低到低于操作电压的一半。得到Bitline电压后，经过放大器判别出内部值为0或1。写的时候 把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容 内部没有电荷。