GAA，一般指全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET）。GAA被广泛认为是鳍式结构（FinFET）的下一代接任者。
2022年6月，三星在官方声明中表示，已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产采用GAA晶体管架构的3纳米半导体芯片。而台积电表示，到2025年量产2纳米芯片时，才会采用GAA技术。另一家芯片制造巨头，英特尔将在其5nm工艺引入GAA架构，最快在2023年实现量产。
