电子束光刻

电子束光刻（Electron Beam Lithography，EBL）是一种扫描电子聚焦束以在被称为抗蚀剂（曝光）的电子敏感膜覆盖的表面上绘制自定义形状的实践。电子束改变了抗蚀剂的溶解性，通过将其浸入溶剂中（显影），可以选择性地除去抗蚀剂的已曝光或未曝光区域。与光刻一样，其目的是在抗蚀剂中形成非常小的结构，然后可以通过蚀刻将其转移到衬底材料上。


电子束光刻的主要优点是可以绘制低于10 nm分辨率的定制图案（直接写入）。这种形式的无掩模光刻技术具有高分辨率和低产量，将其用途限制在光掩模制造，半导体器件的小批量生产以及研究和开发中。