纳米压印光刻

纳米压印技术（Nanoimprint Lithography，NIL）。

纳米压印技术是华裔科学家美国普林斯顿大学周郁在20世纪1995年首先提出的。纳米压印光刻已经从一种基于实验室的研究发展到一种强大的高容量制造方法，它能够满足当今制作微纳器件的需要，特别是半导体技术日益复杂的挑战。 目前，这项技术最先进的程度已经达到5nm以下的水平。

纳米压印技术主要包括热压印（HEL），极紫外压印（UV-NIL）（包括进一闪光印（S-FIL）），微接触印刷。

相比EUV光刻机复杂的结构以及难以提高生产率，NIL 只需要将形成三维结构的掩膜压在晶圆上被称为液体树脂的感光材料上，同时照射光线，一次性完成结构的转印的方法。不需使用EUV光刻机，也不需要使用镜头，而且还可以将耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40% 。

佳能早在2004 年就开始研发NIL技术，佳能认为不仅会被封装在智能手机中，未来还会被用作贴纸，比如贴在人体皮肤上或隐形眼镜上，并相信只有纳米压印方式才能以客户要求的成本和速度实现这一点。