砷化镓

砷化镓（Gallium arsenide），化学式为GaAs，是一种半导体材料，由镓和砷元素组成。具有优异的电子性能和光学特性，因此在通信领域中得到广泛应用。

砷化镓具有很高的电子迁移率，因此能够在高频率下工作，并展现出良好的功率放大能力。相比于硅等其他材料，砷化镓的电子迁移率更高，这使得它成为高速通信和微波设备中的理想材料。

砷化镓被广泛应用于高频率电子器件、光电器件和光纤通信等方面。在高频率电子器件中，砷化镓常被用于制造高电子迁移率晶体管（HEMT），用于制造射频功率放大器、微波集成电路和雷达系统等。由于砷化镓具有较高的饱和漂移速度和导电率，HEMT在高频应用中能够提供更高的性能。

另外，在光电器件领域，砷化镓也被广泛应用于制造激光器、光电二极管和太阳能电池等。由于砷化镓具有直接能隙，能够在可见光和红外光波段范围内吸收和发射光线，因此砷化镓激光器在光通信、光纤通信和光存储等领域得到了广泛应用。

作为第二代半导体，砷化镓单晶因其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。2001年7月31日，中国科学家宣布已掌握一种生产这种材料的新技术，使中国成为继日本、德国之后掌握这一技术的又一国家。