计算光刻

计算光刻——Computational Lithography。计算光刻技术是通过对掩膜、光源的正向或反演优化，降低因光波衍射影响光刻效果的程度。计算光刻是采用计算机模拟、仿真光刻工艺的光化学反应和物理过程，从理论上指导光刻工艺参数的优化。

ASML对计算光刻的释义是，利用计算机建模、仿真和数据分析等手段，来预测、校正、优化和验证光刻工艺在一系列图案、工艺和系统条件下的成像性能。计算光刻被ASML称为是“铁三角”软件部分的中坚力量

由于光刻机使用的入射光源的波长与要成像的晶体管CD特征值的差距一直在扩大。例如，EUV光刻系统的光源波长为13.5nm，晶体管CD特征值为5nm。当这种情况发生时，物理衍射就会使图像模糊。

计算光刻的作用就是补偿因衍射或光学、抗蚀剂和蚀刻邻近效应而导致的任何图像误差。计算光刻通常包括光学邻近效应修正（OPC）、光源-掩膜协同优化技术（SMO）、多重图形技术（MPT）、反演光刻技术（ILT）等四大技术。在这其中，OPC（光学邻近校正）和 ILT（逆光刻技术）是主要的两种。