双重光刻

双重光刻（Double Patterning），是指芯片制造过程中把设计版图拆分放置在两块掩模上，使用两次光刻技术，将图形转移到衬底上。

双重光刻作为一种有效的光刻分辨率增强技术被广泛的应用于22nm，20nm，14nm技术节点。当前主流的1.35NA的193nm浸没式光刻机能够提供36-40nm的半周期（half-pitch）分辨率，可以满足28nm逻辑技术节点的要求，如果小于该尺寸，就需要双重曝光甚至多重曝光技术。

双重光刻技术主要的实现方式有两种：一种是曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（Lithography-Etch-Lithography-Etch），LELE的基本原理就是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上，利用多次曝光和刻蚀来实现原来一层设计的图形。

另一种是自对准双重成像技术（self-aligned double patterning）,SADP的原理是一次光刻后，再在第一次光刻图形周围通过淀积侧墙，通过刻蚀实现对空间图形的倍频。